Silisyum Karbür, kuvars formundaki silikanın (SiO2) ham petrol kok formundaki Karbon (C) ile karıştırılmasıyla elektrokimyasal reaksiyona giren bir işlemle üretilir. Stokiyometrik karışım, yüksek kaliteli kristaller elde etmek için 2500 santigrat dereceye kadar bir sıcaklıkta bir elektrik direnç fırınında reaksiyona sokulur. İşlem, fırın merkezinde bir grafit elektrot bulunan büyük fırın teknolojisidir. Büyük kristaller daha sonra ayrılır, ezilir, yüksek yoğunluklu manyetik ayırıcılarda manyetik safsızlıklardan temizlenir ve son kullanıma uygun dar boyutlu fraksiyonlara sınıflandırılır.
| TİPİK KİMYASAL ANALİZ | TİPİK FİZİKSEL ÖZELLİKLER | ||
| SiC | ≥%98 | Sertlik: | Mohs:9.15 |
| SiO2 | ≤%1 | Erime Noktası: | 2250 ℃’de süblimasyon |
| H2O3 | ≤0,5% | Maksimum servis sıcaklığı: | 1900℃ |
| Fe2O3 | ≤0,3% | Özgül Ağırlık: | 3,2-3,45 gr/cm3 |
| FC | ≤0,3% | Yığın yoğunluğu(LPD): | 1,2-1,6 gr/cm3 |
| Manyetik içerik | ≤0,02% | Renk: | Siyah |
| Parçacık şekli: | Altıgen | ||
Siyah silisyum karbür mikro tozu JIS grit parçacık boyut dağılımı.
| JIS Grit Boyutu | D0(Mikron) | D3(Mikron) | D50(Mikron) | D94(Mikron) |
| #240 | ≤ 127 | ≤ 103 | 57,0±3,0 | ≥ 40 |
| #280 | ≤ 112 | ≤ 87 | 48,0±3,0 | ≥ 33 |
| #320 | ≤ 98 | ≤ 74 | 40,0±2,5 | ≥ 27 |
| #360 | ≤ 86 | ≤ 66 | 35,0±2,0 | ≥ 23 |
| #400 | ≤ 75 | ≤ 58 | 30,0±2,0 | ≥ 20 |
| #500 | ≤ 63 | ≤ 50 | 25,0±2,0 | ≥ 16 |
| #600 | ≤ 53 | ≤ 41 | 20,0±1,5 | ≥ 13 |
| #700 | ≤ 45 | ≤ 37 | 17,0±1,5 | ≥ 11 |
| #800 | ≤ 38 | ≤ 31 | 14,0±1,0 | ≥ 9.0 |
| #1000 | ≤ 32 | ≤ 27 | 11,5.±1,0 | ≥ 7,0 |
| #1200 | ≤ 27 | ≤ 23 | 9,5±0,8 | ≥ 5,5 |
| #1500 | ≤ 23 | ≤ 20 | 8,0±0,6 | ≥ 4,5 |
| #2000 | ≤ 19 | ≤ 17 | 6,7±0,6 | ≥ 4.0 |
| #2500 | ≤ 16 | ≤ 14 | 5,5±0,5 | ≥ 3,0 |
| #3000 | ≤ 13 | ≤ 11 | 4,0±0,5 | ≥ 2,0 |
| #4000 | ≤ 11 | ≤ 8.0 | 3,0±0,4 | ≥ 1,8 |
